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WD推出NAND芯片:传输速度提高60%,容量大一半

2022-05-16 09:31栏目:业界
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  西部数据本周展望了其未来几年的BiCS3DNAND路线图。正如预期的那样,公司及其合作伙伴Kioxia将继续推出新一代BiCS存储器,以增加每台设备的容量,降低每个比特的成本。

  此外,该公司正在开发BiCS+3DNAND。与普通BiCS存储器相比,将大大提高性能和密度,实现性能极端的超高容量SSD。

  162层的BiCS6即将问世。

  公司的下一步是推出第六代BICS存储器。该存储器将有162个活性层,并将实现1TBQLC3DNAND存储器设备,芯片尺寸为68mm^2。新一代西数的3DNAND还将有更快的I/O接口和60mb/s程序速度,这将大大提高下一代SSD的性能,有PCIE5.0接口的主流驱动器。

  WD推出NAND芯片:加速60%,容量大一半。

  虽然162层可能看起来不像其他制造商吹嘘的176层那样令人印象深刻,但西部数据的芯片尺寸将比竞争对手的芯片尺寸更小,因为该公司将通过使用新材料来缩小内存单元的尺寸。因此,公司希望其BiCS61TB3DQLCIC的生产更容易、更便宜,这将使其在性能和价格上与最佳SSD竞争,生产更便宜的存储设备。

  BiCS63DNAND存储器的大规模生产将于2022年底开始(WDC2023财年第二季度)。BiCS63DNAND芯片将被广泛应用,从廉价USB驱动器扩展到高价大容量SSD。

  200层以上的BiCS+即将问世。

  同时,西部数据计划为数据中心设计BiCS+内存,专门针对需要高容量、高性能的数据中心工作负载。

  该公司声称,由于传输速度高达60%的200+层(即将使用更快的接口和/或8/16平面架构,以实现更高的平行性)和15%的程序带宽(即更高的写入速度),BICS+将提供每个晶圆55%的位数增长。目前BICS+有时会在2024年到达。

  WD推出NAND芯片:加速60%,容量大一半。

  西部数据技术和战略总裁SivaSivaram表示:“这是为数据中心的工作负荷设计的。你可以看到[..]当我们从Bics6到这个节点时,每个晶圆的比特增长率为55%,I/O速度增长了60%,而我刚才提到的程序带宽保持了60mb/s的世界纪录,我们将在这个单元这个单元的15%。”。西部数据技术和战略总裁SivaSivaram表示:“当产品开发并投入使用时,这将是NAND性能的飞跃。

  虽然西方数据没有概述其准确的BiCS+计划,但我们预计这种新内存将使公司能够生产高容量的数据中心固态硬盘,而无需使用棘手的包装或非常复杂的控制器。还应该注意的是,BiCS+确实是专门针对数据中心驱动器的,因为对于普通SSD,该公司计划提供200层以上的内存,目前被称为BiCS-Y。

  WD推出NAND芯片:加速60%,容量大一半。

  说到数据中心SSD,有趣的是,与合作伙伴Kioxia不同,西方数据不再谈论基于3DNAND的存储级内存(SCM),而是与英特尔的Optane和Kioxia的XLNAND竞争。2019年,该公司提到了其用于SCM应用的低延迟闪存(LLF)NAND存储器,但从那时起,它没有提供任何更新。

  理论上,高密度3DNAND可用于单层单元(SLC)模式,以解决需要高性能、低延迟、高可靠性和巨大数据保留的应用。同时,我们不确定为BiCS+组件设计的介质是否可用于上述应用程序。